登入
facebook
google-plus
twitter
linkedIn
活動看板
產經情報
廠商名錄
知識分享
需求快遞
技術供應
網站連結
會員專區
聯絡AOIEA
訂閱電子報
facebook
google-plus
twitter
linkedIn
知識分享
首頁
>
知識分享
>
技術專欄
技術專欄
會員ppt
字級設定:
大
中
小
收藏
.
.
不同He-Ne 雷射檢測光點尺寸對於矽膜融化時間之研究與分析
建立日期:2018/02/12
作者:
郭啟全等
出處:
國立台灣科技大學機械系 郭啟全、葉文昌、鄭正元
內容:
本研究運用不同尺寸之pinhole裝置於He-Ne檢測光源前面來研究光點大小與矽膜融化時間關係。研究結果發現,ψ0.3 mm為pinhole最佳孔徑尺寸;對於矽膜厚度90 nm之試片,於不同pinhole孔徑尺寸條件下所檢測出矽膜產生剝落能量值均為(Eab>550 mJ/cm2),而且最長之矽膜融化時間均約350 ns。此外,可藉由矽膜融化時間與準分子雷射能量密度關係圖之曲線斜率的變化,進而判斷出矽膜融化深度與再結晶機制之差異性。
【論文全文請詳附加檔案說明】
檔案下載:
不同He-Ne 雷射檢測光點尺寸對於矽膜融化時間之研究與分析
下載次數:
564
分享本訊息:
分享到 facebook
分享到 google+
分享到 twitter
分享到 linkedin
回上頁