半導體前段檢測中屬於裸晶類型的產品，基於特殊的表面反光性質而使得檢測流程具有一定困難度，為此各大AOI檢測設備業者也積極地尋找新的解決方案。

在半導體檢測中，往往因不同表面性質的基板而造成檢測上的誤差，台灣西克因此首創「紫光三角法」，突破傳統3D線雷射檢測瓶頸與In-Line的全檢需求，協助許多國內外AOI設備廠家解開晶圓微凸塊的檢測瓶頸。

IC晶片持續縮小 缺陷檢測變得越來越困難

我們手中最常用的iPhone，裡面包含了數百顆常用的小型IC，這些小型IC在組裝前都需要確保品質正常。那麼，檢測的難度又在哪呢？

在每一支手機裡，有數百顆IC，而每個IC中又存在著數百萬顆微型凸塊(Bumping)，這些微凸塊其實就是在元件堆疊的過程中，用來作為上下層電訊號導通的接點，倘若微凸塊過大或過小，或是產生壓傷或是缺角，都會使得後端電子傳遞效果不佳，造成製程的巨額損失，因而對於微凸塊的檢測，便顯得相當重要。

這麼多的微米級凸塊，過往只能在小型Off-line量測儀中進行檢測，非常難直接落實到產線應用中，原因就在於，速度與檢測尺寸上無法突破。可以說，隨著IC晶片的尺寸持續縮小，檢測IC封裝中所有的缺陷將變得越來越困難，半導體封測廠面臨莫爾定律(Moore’s Law)所丟出的戰帖，這並非單單抽檢，而是100%的全檢需求。

模組化的產品在微距世界中逐漸失去創新

由於使用便利性的因素，規模較小的業者會選擇市場上已配套完成的「三角法模組」，但由於角度與光學元件的侷限性，在高度50um以下的尺寸，這種手法會開始失真與變形，即便使用軟體進行優化，也無法回歸到最真實的準度。

再者，現在流行於市場中的三角量測技術，99%都是已模組化的產品，在微距世界中，逐漸失去了創新的可能性。

為了改善傳統3D線雷射的檢測瓶頸，台灣西克首創將紫光雷射三角法運用在半導體封裝檢測流程中。

事實上，「紫光」在面對半導體產品時，有非常穩定的光斑(Light Spot)，透過紫光極短波長的特性，當其附著在高反射的物件上時，效果穩定度遠遠高過其他可見光的3~5倍，並經由特殊旋轉角，來解決遮蔽等問題，這樣的技術非常適合現今半導體AOI設備商來做使用。

檢測晶圓凸塊的流程對半導體製程良率來說非常重要，如上述所提，只要一個金屬連結產生壓傷或是缺角，就會造成未來製程上的巨額損失。

舉一個在業界常見的記憶模組封裝案例HBM(High Bandwidth Memory)，此封裝中常見凸塊節點的導通案例：錫鉛凸塊(solder bumps)轉移。

目前有不同的錫鉛凸塊技術可運用在量產上，這些技術包括了電鍍、銲膏刷印、蒸鍍與銲球直接黏著等方式。覆晶封裝(Flip Chip in Package；FCiP)則需要在很密的間距(pitch)中，產生很多小型凸塊，而晶圓級晶片尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging；WLCSP)一般只需要在較大的間距內，具有眾多的錫鉛凸塊。

覆晶技術(Flip Chip)已成為元件構裝技術的主流之一，不論是那一種覆晶技術，凸塊的製作是不可或缺的，為了因應環保議題，甚至發展到無鉛凸塊(Lead Free Solder)。隨著半導體技術的發展及產品功能的多樣化，元件構裝技術的種類也越來越多變，以符合不同的需求。