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以整合全表面檢測提高晶圓良率

建立日期:2018/02/21
  • 作者: National Semiconductor / Joseph Hallen等人
  • 出處: 半導體科技
  • 內容: 本篇針對傳統較少受到注意的晶圓晶背或邊緣缺陷,說明缺陷形成原因以及檢測方法。(正面的微缺陷檢測工具並不適用在晶背上,因為原本偵測極小缺陷的需求會使其速度變慢且昂貴)