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知識分享

暗視野成像檢測儀進行金屬線側壁空穴監測

建立日期：2018/02/21
  • 作者： Chang Hwan Lee等/海力士半導體
  • 出處： 半導體科技
  • 內容： 作者為韓國海力士半導體Hynix Semiconductor人員，就 66 奈米的 DRAM 元件上可見的金屬側壁空穴缺陷（該缺陷不會影響良率，但會影響元件可靠性），說明該公司如何實施偏差監控策略來辨識和追蹤缺陷問題。
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