即將揮別的2024年，也是第三類半導體碳化矽（SiC）、甚至整個化合物半導體大翻篇的元年。尤其中系廠新產能大開、翻轉全球，過往的SiC是「擁料源、擁天下」，現下料源已成燙手山芋？

這也間接深層扭轉台灣相關供應鏈的未來命運，尤其被質疑將重演十年前太陽能、LED藍寶石基本的劇本？因為當中國手握生產主導權，全球製造難有生存空間。

徐秀蘭身為中美晶暨環球晶董事長，同時也是光電科技工業協進會（PIDA）台灣化合物半導體及設備產學聯盟首任主委，則有不同詮釋。以下為其因應DIGITIMES的問答紀要。

問：中系SiC料源廠快速崛起，使其成燙手山芋，怎麼預測SiC產業後續走勢？尤其在6、8吋SiC尺寸晶圓迭代上？

近年電動車（EV）快速崛起，成SiC第一大出海口。4吋基板升級6吋的速度，比先前演變都快。近二年整合元件廠（IDM）客戶積極評估及認證8吋，我原本預估2025年將走到6、8吋各佔半壁江山的局勢。

但是，從2024全年6吋基板價格跌到超級低的情況，先前判斷的走勢將調整為：2025年仍是6吋的主戰場、8吋登場的時間後延。

尤其電動車產業也迎來巨大變動。中國車市殺價割喉戰愈演愈烈，車廠不斷向上游供應鏈施壓，讓新開出SiC產能壓力巨大。再者歐、美電動車市場需求成長不如預期，使SiC潛在出海口短期蒙霧。

而因為6吋太便宜，性價比不斷強化。價格直落的6吋比8吋便宜3~4倍。再加上6吋供給者眾，供過於求、砍價搶單成現下主旋律；8吋則還未到真正量產，只是對應6吋、調低相對報價水位。

其實國際IDM廠對8吋驗證積極度不變，但下述2要點仍箝制其發展速度。

一是性價比考量。雖然8吋比6吋面積多1.77倍，但現下價格是6吋的3~4倍，換算成每單位成本價，還是6吋划算。雖然6吋的低價是諸多供應商淌血貢獻，這顯示其短期難有資源再朝8吋邁進。

再者，8吋是未來、仍有成長空間。要品質好、缺陷少且切得薄。最關鍵在於6、 8吋要一樣厚，現下約在350微米（µm），8吋因為面積較大容易產生翹曲（warpage），使破片率也拉升，這是全世界都在努力解決的問題。

若從厚度來看，6吋不會因8吋崛起就快速被淘汰，因為難做到超薄，很多是6吋可做、8吋做不出的特殊規格，如180µm或更薄，環球晶最薄可做到100µm。另外則是8吋的性價比得達到6吋的水位。

功率元件三劍客命運糾纏，因為彼此具取代關係。矽基（Si）絕緣柵雙極電晶體（IGBT）、氮化鎵（GaN），將因低價SiC臨革命？均有著墨的環球晶感受連環威脅了嗎？

我認為會依各材料特性、在各應用端找到更適合的位置。雖然SiC價格明顯下降，但目前還沒超越GaN的成本優勢。不過，過往中壓是GaN的天下，部分會被低價SiC取代，但高頻領域GaN的優勢不受動搖。

而成本最具競爭力還是IGBT，只是應用端若在乎體積、重量、空間等，可能會更換成SiC，例如分離式的5G基地台等。

其實SiC價格下降，可望激起如AI資料中心等更多應用。不過仍需時間重新設計，並考量整個系統成本及長期發展。尤其現下的價格是多數供應商激烈殺價、虧本而來，並非常態。

其實化合物半導體仍佔不到環球晶總營收5%，目前不受市場激烈變動影響，我們仍持續投入中，也持續觀察上述要素的變化。

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