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知識分享

疊對量測圖樣最佳化設計

建立日期：2018/02/12
  • 作者： 李雅萍等
  • 出處： 量測中心李雅萍、顧逸霞、童啟弘
  • 內容： 為了要降低WIS(wafer induce shift)對微影疊對誤差量的影響,許多研究報告紛紛顯示未來的趨勢為縮小微影疊對圖樣的尺寸以及改變放置微影疊對圖樣的位置使其接近主動面積(active area)或是直接將微影疊對圖樣放在主動面積裡。但是當微影疊對圖樣的尺寸愈來愈接近晶片內最小設計尺寸(in-chip design rule)時，由於超越了繞射極限的緣故，經由顯微鏡觀察到的影像會變的模糊而難以辨識，在這種情況下雖然仍然可以觀察到一些影像非對稱的現象，但是用來分析傳統微影疊對圖樣(box-in-box, BIB)的演算法勢必難以用來分析晶片內微影疊對圖樣(in-chip overlay target)，有鑒於此，我們發展出新的演算法用來分析這種微小化的微影疊對圖樣。

    本文中我們建立出一套數值演算法用來模擬整個疊對圖樣的量測系統模型，Thin Film Model，並經由與NIST 發展的數值理論模型比較，確定了本數值演算法所用來模擬整個疊對圖樣影像的正確性。除了可正確的模擬出因為錯位而產生非對稱現象的影像，並發展分析非對稱性與微影疊對錯位量關係的演算法。為了配合微影疊對圖樣的線寬可能縮至65nm 或更小及尺寸上之縮小，我們利用所建立之Thin Film Model 理論模擬結果找出in-chip overlay target 在offset 及之最佳尺寸參數、線寬及最佳光學參數，並在尋求最佳參數之際找出是否有更佳之分析非對稱性之數學理論。

    【論文全文請詳附加檔案說明】
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