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知識分享

不同He-Ne 雷射檢測光點尺寸對於矽膜融化時間之研究與分析

建立日期：2018/02/12
  • 作者： 郭啟全等
  • 出處： 國立台灣科技大學機械系 郭啟全、葉文昌、鄭正元
  • 內容： 本研究運用不同尺寸之pinhole裝置於He-Ne檢測光源前面來研究光點大小與矽膜融化時間關係。研究結果發現，ψ0.3 mm為pinhole最佳孔徑尺寸；對於矽膜厚度90 nm之試片，於不同pinhole孔徑尺寸條件下所檢測出矽膜產生剝落能量值均為(Eab>550 mJ/cm2)，而且最長之矽膜融化時間均約350 ns。此外，可藉由矽膜融化時間與準分子雷射能量密度關係圖之曲線斜率的變化，進而判斷出矽膜融化深度與再結晶機制之差異性。

    【論文全文請詳附加檔案說明】
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