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知識分享

疊對量測不確定度評估

建立日期：2018/02/12
  • 作者： 龐秀蘭等
  • 出處： 工研院量測中心 龐秀蘭、顧逸霞
  • 內容： 由於半導體製程關鍵尺寸(Critical Dimension) 設計的逐年減小，利用傳統光學顯微鏡判讀半導體製程中層對層之間的疊對準確度已愈趨困難，根據ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor) 2005 年對關鍵尺寸的要求，已由2004 年的90 nm減小為80 nm，相對於疊對量測的準確性要求，則由2004 年的3.2 nm 減小為2.8 nm。針對製程線寬逐年減小，疊對量測準確度要求逐年提高，不確定度的評估愈趨重要。本文將針對疊對量測系統，提出量測不確定度的評估方法，包括系統重覆量測(動態重覆量測及靜態重覆量測)、量測機台所造成的不確定度影響(Tool Induce Shift-TIS)、晶圓製作所造成的不確定度影響(Wafer Induced Shift-WIS)、不同量測機台的誤差(Tool Matching)
    以及系統追溯參考量測系統(Reference Measurement System-RMS)，其中的參考量測系統可選用CDSEM 或CDAFM 量測儀器，藉由Mandel 所提出的分析方法，將疊對量測系統與參考量測系統做比對，再由迴歸曲線計算出系統總量測不確定度(Total Measurement Uncertainty-TMU)。

    【論文全文請詳附加檔案說明】
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