為了支援台積電先進製程陸續開工與之後發展，全世界極紫外光曝光機（EUV）龍頭艾司摩爾（ASML）在南科設置的 EUV 技術培訓中心正式揭幕，讓外界一窺每套價值 1.2 億歐元的 EUV 究竟長什麼樣子。據 ASML 之前公布資料顯示，一部長度超過 10 公尺、高度達 2 層樓的 EUV，每台有超過 10 萬個零件，加上 3 千條電線、4 萬個螺栓及 2 公里長的軟管等零組件，最大重量達 180 公噸。整部曝光機是由「照明光學模組」（Illumination & Projection）、「光罩模組」（Reticle）及「晶圓模組」（Wafer）三大部分組成。

「照明光學模組」部分，ASML 解釋這是 EUV 最核心的作業模組。這裡紫外光由「光源模組」（Source）生成後，就導入「照明光學模組」。過程還必須進行檢測與控制光的能量、均勻度及形狀。之後再將紫外光穿過光罩，藉由聚光鏡（Project Lens）將影像聚焦成像在晶圓表面的光阻層。

「光罩模組」可分為「光罩傳輸模組」（Reticle Handler）和「光罩平台模組」（Reticle Stage）兩部分。「光罩傳輸模組」主要負責將光罩由光罩盒一路傳送到「光罩平台模組」，之後「光罩平台模組」負責乘載並快速來回移動光罩，以利「照明光學模組」曝光，將電路設計圖影像（Pattern）刻在晶圓上。

「晶圓模組」部分，ASML 表示分為「晶圓傳送模組」（Wafer Handler）及「晶圓平台模組」（Wafer Stage）兩大塊。「晶圓傳送模組」負責將晶圓從光阻塗佈設備一路傳送至「晶圓平台模組」，「晶圓平台」則是微影設備關鍵的定位模組（Positioning Module）裝置，因 EUV 系統設計整合機械電子學、光學設計及量測學（包含量測、數據處理及控制）等，使雙晶圓平台能在同時間移動兩片矽晶圓，其中一邊晶圓於紫外光曝光下，將電路設計圖影像（Pattern）刻在晶圓上，另一邊晶圓同時由機台量測儀器優化準確度（Alignment）。如此，兩個平台交替執行微影和量測功能，大大提升製程效率。

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