top

知識分享

檢測光源角度對於矽膜再結晶特性影響之研究與分析

建立日期：2018/02/12
  • 作者： 郭啟全等
  • 出處： 明志科技大學機械工程系 郭啟全、鄭正元
  • 內容： 優良的低溫多晶矽薄膜電晶體，在高解析度液晶顯示器及有機發光顯示器領域上具有相當的應用。在玻璃基板上製作高品質的低溫多晶矽薄，由於受到玻璃基板熔點限制，通常均使用低溫製程之準分子雷射退火技術來製作多晶矽，由於準分子雷射退火過程中之再結晶過程將影響多晶矽晶粒尺寸大小與晶粒邊界分佈，因此線上光學檢測技術最常運用於解析薄膜再結晶特性之研究，然而不同檢測光源角度對於所檢測之反射率與穿透率變化波形之影響性，至今無任何文獻著墨，因此本研究運用不同檢測光源角度，於厚度90 nm之矽膜經準分子雷射退火期間進行研究與分析，結果顯示不同檢測光源角度對於所檢測之反射率、穿透率變化波形與矽膜熔化時間不具影響性，但是光學檢測檢測系統必須滿足矽膜經準分子雷射照射後之反射率與穿透率訊號能100 % 進入光偵測器。

    【論文全文請詳附加檔案說明】
  • 檔案下載：檢測光源角度對於矽膜再結晶特性影響之研究與分析
  • 下載次數：944
回上頁