FilmChek為光電半導體用量測系統，可量測參數為薄膜厚度(d)、材料折射率(n)、消散係數(k)及矽晶圓矽通孔深度等。以光譜儀搭配取像探頭，量測一寬頻光源入射薄膜及基板後的反射干涉光譜，並透過演算法計算出薄膜材料的厚度、折射率及消光係數...

本系統是由高解析工業用相機、顯微物鏡及紅外光源組成紅外疊對顯微模組，採用亮場及背光兩種光源打光，可同時取得晶圓上下兩層高解析單張影像；並藉由後端校正及疊合對位演算法，可自動分析取得高精度之疊對偏差量及疊對圖樣關鍵尺寸結果。 The s...

晶圓表面形貌量測系統是利用光偏折原理，由相機擷取晶圓上的條紋影像，並應用相位移及相位展開技術量測條紋變形量，即可測量出晶圓表面斜率變化及表面形貌，並可分析晶圓之翹曲及薄膜應力，本技術可扣除重力影響，重現樣本最真實的翹曲值。 The w...

光譜反射儀是藉由分析光從待測樣品反射之光學特性來獲的待測樣品的相關參數。基本架構為一寬頻光源以一低數值孔徑照明入射至待測樣品，從待測樣品之反射光經由光學系統入射至光譜儀，並轉換為光譜訊號，藉由理論分析及曲線擬合，可獲得待測樣品的相關參數。此...

白光干涉儀量測模組採用低相干干涉原理，利用寬頻白光源照射樣品，並透過干涉條紋的相位與強度分析，獲得奈米級的三維表面形貌與高度資訊。本技術具備非接觸、高精度與快速量測等特性，特別適用於半導體晶圓表面形貌及粗糙度等參數量測。 The wh...

本系統透過高解析光場掃描技術，解析超透鏡的焦點分布與光學性能。透過理論分析與數學擬合方法，將光場強度分布轉換為相位分布。此量測系統可量測參數為焦距、數值孔徑、Strehl ratio、效率與相位輪廓等關鍵光學參數，為金屬透鏡設計驗證與製程品...

感應耦合電漿質譜法 (ICP-MS) 結合高溫電漿離子化與質譜偵測，具備高靈敏度與多元素分析能力，可量測微量及超微量元素；延伸之單一粒子分析技術 (spICP-MS) 透過時間解析量測，偵測個別奈米粒子的瞬時離子脈衝訊號。本系統隸屬於國家度...

BET比表面積與孔隙結構量測技術主要利用氣體吸附原理，透過吸附等溫線分析材料的比表面積、孔容及孔徑分布等重要物理特性。儀器可藉由樣品脫氣、氣體吸附與脫附及數據分析程序，快速取得材料的表面與孔隙結構資訊。適用於催化劑、吸附劑、活性碳、分子篩、...

X射線反射率（XRR）利用X射線以極低掠入射角照射薄膜表面，量測鏡面反射強度隨角度的變化。當入射角超過臨界角後，來自不同薄膜界面的反射X射線互相干涉，形成Kiessig fringes。藉由反射曲線與層狀薄膜模型擬合，可非破壞性評估薄膜厚度...

S2 PICOFOX為微量元素分析量測系統，具已知內標含量樣品可進行定量分析，無內標樣品亦可進行比例分析。量測參數為體積濃度(液體)、質量(固體)、質量百分比例(無內標樣品)。Mo-Kα光源(17.5 keV)以極低之入射角照射樣品表面達成...

動態光散射 (DLS) 可快速且非破壞地量測溶液中粒子的粒徑分佈，常用於生化、材料科學領域。此技術通過照射雷射溶液中布朗運動的粒子，分析瑞利散射光的擾動變化，並計算粒子的擴散係數，藉此得到粒子粒徑分佈。 Dynamic Light Scat...

AFM為半導體與奈米材料分析用量測系統，可量測參數為三維表面形貌、表面粗糙度(Ra/Rq)、階高(Step height)及奈米級尺寸等。以奈米級探針搭配微懸臂樑掃描樣品表面，量測探針尖端與樣品表面原子間交互作用力所產生的微小偏折，並透過回...

微分電移動度分析儀搭配凝結粒子計數器(DMA-CPC)是一種奈米氣膠粒子量測技術。DMA依粒子的電遷移率進行粒徑分級，再由CPC將奈米粒子經蒸氣凝結放大後逐顆計數。此技術可量測奈米粒子的粒徑分布與數目濃度，適用於氣膠及經霧化處理之半導體化學...

掃描式電子顯微鏡運用電子槍發射高能量之電子束，並以磁力透鏡、電場透鏡聚焦於樣品表面，使其激發出各式訊號，藉此獲得形貌、原子組成、晶格結構、尺寸等訊息。 A scanning electron microscope (SEM) uses an...

分光式橢圓偏光儀可由實驗上所量得的橢圓偏光函數 tanY與 cosD的最小平方法擬合，來間接的求得薄膜的厚度、折射率、消光係數，是一種無損無接觸的光學測量技術。 A spectroscopic ellipsometer can indire...

氣相色譜-質譜分析技術（GC-MS）可針對複雜樣品中的揮發性及半揮發性有機化合物進行定性與定量分析。樣品經氣相色譜分離後，由質譜系統依化合物的質荷比（m/z）及特徵質譜圖進行鑑定，並可透過標準品或質譜資料庫進行比對。GC-MS 廣泛應用於環...

離子層析技術是一種高效能液相分離與精密定量技術，在半導體領域廣泛應用於超純水與空氣中分子污染物(AMC)監控。本技術利用離子交換機制分離樣品中的陰、陽離子，結合電解抑制技術大幅降低淋洗液背景電導，並由高靈敏度電導偵測器或安培偵測器即時量測，...

非對稱流場場流分離技術 (AF4) 利用交叉流場與樣品擴散行為，在無填充材的薄層通道中分離不同尺寸的高分子與奈米粒子。結合多角度光散射 (MALS)、折射率 (RI) 及紫外光 (UV) 偵測器，可分析分子量分布、迴轉半徑及聚集狀態，協助材...

透過高解析度微米/次微米級X-ray電腦斷層掃描技術，非破壞性解析待測物內部三維微結構與幾何形貌。透過高精度轉台旋轉投影與重建演算法進行3D體積重建，可精準量測內部孔洞分佈、壁厚均勻性、組裝間隙及幾何尺寸與公差等關鍵尺寸，為先進封裝、精密元...

以雷射掃描檢測晶圓表面，若有粒子或缺陷在晶圓表面，就會產生散射光，散射的光強度與粒子大小有正相關，校正後即可檢測晶圓上所有粒子的尺寸與數量。本技術採用自主設計之傾斜入射投、收光雷射散射模組與晶圓承載機構，適用於檢測透明晶圓及載板，可取代國外...

EUV微影為5 nm以下先進製程的關鍵技術。曝光劑量、均勻性及機台間匹配，須以具明確定義與計量追溯的量值確認。現行半導體微影製程通常需經一系列製程程序，才能回推輻射劑量與機台設定之關係。 導入可追溯標準件與即時量測技術後，可直接量測曝...

智慧眼鏡與AR／VR微顯示器被視為元宇宙的重要虛實介面，國際大廠皆看好Micro LED於亮度、功耗及體積上的優勢並投入技術布局，市場預估消費級智慧眼鏡產值可達8,000億美元。 Micro LED陣列的色偏檢測須同時涵蓋高亮與低亮發...

Micro LED大型拼接顯示器由多個顯示模組組成，亮度、色度與畫面均勻性若存在差異，容易在拼接區域形成可視化不均，影響整體顯示品質。傳統逐點量測需耗費大量時間，難以配合大型顯示器及產線檢測需求。 本技術以二維影像式量測為基礎，透過畫...

VCSEL具小型化、高輸出、近紅外波段與脈衝驅動等特性，應用市場持續擴大。VCSEL光形具有明顯的空間分布特性，若量測幾何、收光方式與演算法不同，容易造成測試結果差異，影響產品研發與規格驗證。 本技術建立VCSEL快速光形量測模組、輻...

目前先進製程對溫度精度要求提昇，能快速且有效測量晶圓全域溫度分布的TC wafer需求明確。但受限於系統整合技術、相關溫度材料開發，以及可靠度測試驗證設備和場域，使得無線TC wafer產品尚未國產化。 無線TC wafer可減少開啟...